چگونه هسته های مغناطیسی اندوکتانس را افزایش می دهند

چرا افزودن یک هسته مغناطیسی به یک سیم پیچ القایی مقدار اندوکتانس را به میزان قابل توجهی افزایش می دهد؟

هنگامی که هسته مغناطیسی در سیم پیچ وجود ندارد، جریان خاصی از سیم پیچ عبور می کند. طبق اصل مغناطیس الکتریکی تولید شده، میدان مغناطیسی از سیم پیچ عبور می کند، با این فرض که شدت میدان مغناطیسی ایجاد شده در این زمان H است.

اگر در این زمان یک هسته مغناطیسی در سیم پیچ وجود داشته باشد، برخی از حوزه های مغناطیسی در هسته تحت تأثیر شدت میدان مغناطیسی H به طور منظم چیده می شوند. این حوزه های مغناطیسی میدان مغناطیسی را در همان جهت اصلی ایجاد می کنند. میدان مغناطیسی، که بسیار بزرگتر از H است. بنابراین، کل میدان مغناطیسی به طور قابل توجهی افزایش خواهد یافت. شدت میدان مغناطیسی ترکیبی این دو را B می نامند.

این توانایی برای افزایش میدان مغناطیسی دارای پارامتری به نام نفوذپذیری μ, B=µ H است. توضیح قبلی برای سهولت درک است.

در واقع، تعریف دقیق μ به شرح زیر است. در شرایط یکسان، شدت القای مغناطیسی ایجاد شده در محیط فرومغناطیسی بسیار بیشتر از محیط هوا است. برای مشخص کردن این مشخصه، محیط های مغناطیسی مختلف با ضریب μ در نظر گرفته می شود که به آن نفوذپذیری مغناطیسی محیط می گویند و نفوذپذیری مغناطیسی ماده را مشخص می کند. در محیط، هر چه μ بزرگتر باشد، شدت القای مغناطیسی B در محیط بیشتر است.